快閃記憶體(nand flash memory)是相當普及的儲存媒介，從小尺寸規格(small form factor)的行動裝置乃至大數據中心皆可使用。不過，隨著奈米製程的演進，記憶體單元越做越小，「讀取干擾」(read disturbance)也逐漸成為影響快閃記憶體可靠度的一大因素。讀取干擾通常發生在對記憶體進行大量讀取之後。這些讀取行為會改變讀取區域週遭單元的位元狀態，造成資料出錯。